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1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內存良率已達90%

1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內存良率已達90%

19-12-27 | 作者:hxj |

世界杯足球比分 www.772189.live   今年3月份,三星宣布全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內存容量8Mb,可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。

  MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究,讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統內存,當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數據,綜合了傳統內存、閃存的有點。

  三星量產的eMRAM內存是基于磁阻的存儲,擴展性非常好,在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統RAM。由于不需要在寫入數據前進行擦除循環,eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍,而且電壓、功耗低得多,待機狀態下完全不會耗電,因此能效極高。

  在8Mb eMRAM內存之后,三星最近已經開始生產1Gb容量的eMRAM內存,依然使用了28nm FD-SOI工藝,最新良率已經達到了90%,使得eMRAM內存實用性大大提升。

  盡管1Gb的容量、性能依然遠不如現在的內存及閃存,但是eMRAM內存超強的壽命、可靠性是其他產品不具備的,這款eMRAM內存在105°C高溫下依然能夠擦寫1億次,85°C高溫下壽命高達100億次。

  如果不是那么苛刻的溫度環境,而是日常使用環境,那么eMRAM內存的擦寫次數高達1萬億次,已經沒可能寫死了。

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